STMicroelectronics MJD112T4 Transistor, 2 A NPN, 100 V, 3-Pin DPAK
- RS Stock No.:
- 151-412
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJD112T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB20,790.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB22,245.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 + | THB8.316 | THB20,790.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-412
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MJD112T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 2A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 200 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20W | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.4m | |
| Height | 6mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 2A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 200 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20W | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.4m | ||
Height 6mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Transistors, This device is manufactured in Planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.
Good hFE linearity
High fT frequency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MJD112T4 Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- STMicroelectronics Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- STMicroelectronics MJD31CT4 Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- Diodes Inc MJD31CH-13 Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- Nexperia Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- Nexperia Bipolar Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- Nexperia MJD41CJ Transistor 100 V, 3-Pin DPAK
- Diodes Inc MJD42C-13 Transistor -100 V, 3-Pin DPAK