STMicroelectronics, High temperature 20 A SCR 600 V, 20 A 10 mA 180 A 1.6 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*

THB706.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB755.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
คำสั่งซื้อมูลค่าต่ำกว่า THB2,500.00 (ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม) ค่าจัดส่งเพียง THB250.00
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
20 - 20THB35.326
30 +THB34.783

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
192-5040P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TN2010H-6G
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

High temperature 20 A SCR

Rated Average On-State Current Irms

20A

Thyristor Type

SCR

Package Type

TO-263

Repetitive Peak Reverse Voltage VDRM

600V

Surge Current Rating

180A

Mount Type

Surface

Maximum Gate Trigger Current Igt

10mA

Pin Count

3

Maximum Gate Trigger Voltage Vgt

1.3V

Maximum Holding Current Ih

40mA

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

UL94 V0, ECOPACK2

Series

TN

Peak On-State Voltage

1.6V

Automotive Standard

No

Repetitive Peak Off-State Current

5μA

COO (Country of Origin):
CN
This device offers high thermal performance during operation of up to 20 ARMS, thanks to a junction temperature of up to 150 °C. Its D²PAK package allows modern SMD designs as well as compact back to back configuration.The combination of noise immunity and low gate triggering current allows to design strong and compact control circuits.

High junction temperature: Tj = 150 °C

High noise immunity dV/dt = 400 V/μs up to 150 °C

Gate triggering current IGT = 10 mA

Peak off-state voltage VDRM/VRRM = 600 V

High turn on current rise dI/dt = 100 A/μs