Infineon SRAM- 128 MB
- RS Stock No.:
- 273-5438
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- S70KL1282GABHV020
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB281.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB300.73
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- เพิ่มอีก 1 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 16 มีนาคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB281.06 |
| 10 - 24 | THB258.45 |
| 25 - 49 | THB248.54 |
| 50 - 99 | THB243.38 |
| 100 + | THB226.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-5438
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- S70KL1282GABHV020
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Memory Size | 128MB | |
| Product Type | SRAM | |
| Number of Bits per Word | 16 | |
| Maximum Random Access Time | 35ns | |
| Maximum Clock Frequency | 200MHz | |
| Minimum Supply Voltage | 1.8V | |
| Timing Type | DDR | |
| Maximum Supply Voltage | 3V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Package Type | FBGA-24 Ball | |
| Maximum Operating Temperature | 105°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | HYPERRAM | |
| Automotive Standard | AEC-Q100 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Memory Size 128MB | ||
Product Type SRAM | ||
Number of Bits per Word 16 | ||
Maximum Random Access Time 35ns | ||
Maximum Clock Frequency 200MHz | ||
Minimum Supply Voltage 1.8V | ||
Timing Type DDR | ||
Maximum Supply Voltage 3V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Package Type FBGA-24 Ball | ||
Maximum Operating Temperature 105°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Series HYPERRAM | ||
Automotive Standard AEC-Q100 | ||
The Infineon DRAM is a high speed CMOS self refresh DRAM, with HYPERBUS™ interface. The DRAM array uses dynamic cells that require periodic refresh. Refresh control logic within the device manages the refresh operations on the DRAM array when the memory is not being actively read or written by the HYPERBUS™ interface master. Since the host is not required to manage any refresh operations, the DRAM array appears to the host as though the memory uses static cells that retain data without refresh. Hence, the memory is more accurately described as pseudo static RAM.
HYPERBUS™ interface
200 MHz maximum clock rate
Configurable burst characteristics
Data throughput up to 400 MBps
Bidirectional read write data strobe
Optional DDR centre aligned read strobe