Winbond Mobile LPDDR SDRAM 512 MB Surface, 60-Pin 16 bit VFBGA

Name: Winbond Mobile LPDDR SDRAM 512 MB Surface, 60-Pin 16 bit VFBGA
Brand: Winbond
SKU: 188-2676P
Availability: BackOrder

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 80 ชิ้น (จัดส่งในถาด)*

THB23,152.64

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB24,773.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

หมดสต็อกชั่วคราว

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
80 - 150	THB289.408
155 +	THB284.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Winbond
	Memory Size	512MB
	Product Type	Mobile LPDDR SDRAM
	Organisation	64M x 8 bit
	Data Bus Width	16bit
	Address Bus Width	15bit
	Number of Bits per Word	8
	Maximum Clock Frequency	200MHz
	Maximum Random Access Time	5ns
	Number of Words	64M
	Mount Type	Surface
	Package Type	VFBGA
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Pin Count	60
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Series	W949D6DB
	Width	8.1mm
	Standards/Approvals	LVCMOS Compatible
	Length	9.1mm
	Height	0.65mm
	Minimum Supply Voltage	1.7V
	Automotive Standard	No
	Maximum Supply Voltage	1.95V

	เลือกทั้งหมด
	Brand Winbond
	Memory Size 512MB
	Product Type Mobile LPDDR SDRAM
	Organisation 64M x 8 bit
	Data Bus Width 16bit
	Address Bus Width 15bit
	Number of Bits per Word 8
	Maximum Clock Frequency 200MHz
	Maximum Random Access Time 5ns
	Number of Words 64M
	Mount Type Surface
	Package Type VFBGA
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Pin Count 60
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Series W949D6DB
	Width 8.1mm
	Standards/Approvals LVCMOS Compatible
	Length 9.1mm
	Height 0.65mm
	Minimum Supply Voltage 1.7V
	Automotive Standard No
	Maximum Supply Voltage 1.95V

This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 4M words x 4 banks x 16bits.

Burst Type: Sequential or Interleave

Standard Self Refresh Mode

PASR, ATCSR, Power Down Mode、DPD

Programmable output buffer driver strength

Four internal banks for concurrent operation

Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง