Infineon 4 V 110 mA Diode TSLP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดูหมวดหมู่นี้
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 15000 ชิ้น)*

THB126,690.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB135,555.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
15000 - 15000THB8.446THB126,690.00
30000 - 30000THB8.192THB122,880.00
45000 +THB7.864THB117,960.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
258-0636
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BAT1502ELE6327XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TSLP

Maximum Continuous Forward Current If

110mA

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

4V

Diode Configuration

Single

Series

BAT15-02EL

Maximum Forward Voltage Vf

0.41V

Peak Reverse Current Ir

5μA

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-02EL a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

TSLP-2-19 package with a 0402 foot print

Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง