Infineon 1200 V 10 A Diode SiC Schottky 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB5,137.92

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,497.56

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 270 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 60THB171.264THB5,137.92
90 - 120THB164.67THB4,940.10
150 +THB162.576THB4,877.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
222-4833
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IDW10G120C5BFKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TO-247

Maximum Continuous Forward Current If

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Series

5th Generation CoolSiCTM

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

SiC Schottky

Pin Count

3

Maximum Forward Voltage Vf

2.3V

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

140A

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

J-STD20 and JESD22

Height

21.1mm

Length

16.13mm

Width

5.21 mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

Best-in-class forward voltage (VF)

No reverse recovery charge

Mild positive temperature dependency of VF

Best-in-class surge current capability

Excellent thermal performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง