STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode 2-Pin D2PAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB178,887.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB191,409.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 +THB178.887THB178,887.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
219-4233
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STPSC10H12G2Y-TR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

TO-263

Maximum Continuous Forward Current If

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Series

STPSC10H12G2Y-TR

Diode Configuration

Single

Pin Count

2

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

60A

Peak Reverse Current Ir

30μA

Maximum Forward Voltage Vf

2.25V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.3mm

Standards/Approvals

No

Length

15.95mm

Width

10.4 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics 10 A, 1200 V Sic diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. Housed in D2PAK HV, this diode is perfectly suited for a usage in PFC applications, in OBC, DC/DC for EV, easing the compliance to IEC-60664-1. The STPSC10H12G2Y-TR will boost performances in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

AEC-Q101 qualified

No or negligible reverse recovery

Switching behaviour independent of temperature

Robust high voltage periphery

PPAP capable

Operating Tj from -40 °C to 175 °C

Low VF

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง