Infineon 650 V 6 A SiC Silicon Carbide Diode Schottky 2-Pin TO-220 IDH06G65C5XKSA2
- RS Stock No.:
- 218-6300
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDH06G65C5XKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB435.98
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB466.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 265 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB87.196 | THB435.98 |
| 15 - 20 | THB85.016 | THB425.08 |
| 25 + | THB83.708 | THB418.54 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-6300
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IDH06G65C5XKSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Product Type | SiC Silicon Carbide Diode | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 6A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Series | 5th Generation thinQ!TM | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Peak Reverse Current Ir | 750μA | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 54A | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.2mm | |
| Width | 4.5 mm | |
| Height | 29.95mm | |
| Standards/Approvals | J-STD20 and JESD22 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Mount Type Through Hole | ||
Product Type SiC Silicon Carbide Diode | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 6A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Series 5th Generation thinQ!TM | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Peak Reverse Current Ir 750μA | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 54A | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.2mm | ||
Width 4.5 mm | ||
Height 29.95mm | ||
Standards/Approvals J-STD20 and JESD22 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon SiC Schottky diode made up of revolutionary semiconductor material. It is mainly used in switch mode power supply, power factor correction and solar inverter.
High surge current capability
Pb free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 650 V 6 A SiC Silicon Carbide Diode Schottky 2-Pin TO-220
- Infineon 650 V 2 A Semiconductor Silicon Carbide Diode 5-Pin PG-VSON-4
- Infineon 650 V 2 A Semiconductor Silicon Carbide Diode 5-Pin PG-VSON-4 IDL02G65C5XUMA2
- Infineon 650 V 12 A SiC Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-220
- Infineon 650 V 12 A SiC Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-220 IDH12G65C5XKSA2
- Infineon 650 V 6 A Diode Schottky 2-Pin TO-220
- Infineon 650 V 6 A Diode Schottky 2-Pin TO-220 IDH06G65C6XKSA1
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 5-Pin ThinPAK 8x8