Infineon 650 V 6 A SiC Silicon Carbide Diode Schottky 2-Pin TO-220 IDH06G65C5XKSA2

RS Stock No.:: 218-6300
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IDH06G65C5XKSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 650 V 6 A SiC Silicon Carbide Diode Schottky 2-Pin TO-220 IDH06G65C5XKSA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB525.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB562.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 235 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB105.15	THB525.75
15 - 20	THB102.522	THB512.61
25 +	THB100.946	THB504.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 218-6300
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IDH06G65C5XKSA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Mount Type	Through Hole
	Product Type	SiC Silicon Carbide Diode
	Package Type	TO-220
	Maximum Continuous Forward Current If	6A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	650V
	Series	5th Generation thinQ!TM
	Rectifier Type	Schottky
	Pin Count	2
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Peak Reverse Current Ir	750μA
	Maximum Forward Voltage Vf	1.7V
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	54A
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.5mm
	Standards/Approvals	J-STD20 and JESD22
	Length	10.2mm
	Height	29.95mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Mount Type Through Hole
	Product Type SiC Silicon Carbide Diode
	Package Type TO-220
	Maximum Continuous Forward Current If 6A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V
	Series 5th Generation thinQ!TM
	Rectifier Type Schottky
	Pin Count 2
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Peak Reverse Current Ir 750μA
	Maximum Forward Voltage Vf 1.7V
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 54A
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.5mm
	Standards/Approvals J-STD20 and JESD22
	Length 10.2mm
	Height 29.95mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IDH06G65C5XKSA2

Infineon 5th Generation thinQ!TM Series SiC Silicon Carbide Diode, 6A Max Continuous Forward Current, 650V Peak Reverse Repetitive Voltage - IDH06G65C5XKSA2

This SiC silicon carbide diode is a high-voltage Schottky rectifier designed for power conversion and switching applications requiring fast recovery and thermal resilience. It operates across an extended temperature range and is supplied in a through-hole TO-220 package suited to conventional heatsinking and mounting methods.

Features and Benefits:

• 650V Peak reverse rating enables high-voltage rectification
• 6A continuous forward current supports sustained load conduction
• 1.7V maximum forward voltage reduces conduction losses
• 54A surge current capacity handles transient inrush events
• 750μA Peak reverse current ensures low reverse leakage
• -55°C to 175°C operating range permits high-temperature operation

Applications

• Suitable for power supplies in industrial converters
• Ideal for automotive-adjacent power electronics (non-automotive standard)
• Used with through-hole assemblies requiring TO-220 mounting
• Can be used for high-voltage DC link rectification
• Used for surge-tolerant input rectifier stages

What mounting method does it require?

It is intended for through-hole mounting in a TO-220 package which allows attachment to standard heatsinks.

How many electrical connections are present?

The device provides two pins for electrical connection consistent with single-diode rectifier topology.

Which standards were used in reliability assessment?

Qualification and testing reference J-STD-20 and JESD22 standards.

What type of rectifier topology is implemented?

The part employs a Schottky rectifier structure using silicon carbide semiconductor material.

What are the physical package dimensions?

The component measures 10.2 mm in length, 4.5 mm in width and 29.95 mm in height.