STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode 3-Pin DPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดูหมวดหมู่นี้
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB573,317.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB613,450.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB229.327THB573,317.50
5000 - 7500THB224.342THB560,855.00
10000 +THB219.357THB548,392.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
210-8743
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STPSC10H12B2-TR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TO-252

Maximum Continuous Forward Current If

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

60A

Maximum Forward Voltage Vf

2.25V

Peak Reverse Current Ir

30μA

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.4 mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

2.2mm

Length

9.35mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics 10A, 1200V SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

No or negligible reverse recovery

Switching behavior independent of temperature

Robust high voltage periphery

Operating Tj from -40 °C to 175 °C

Low VF

DPAK HV creepage distance (anode to cathode) = 3 mm min.

ECOPACK2 compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง