onsemi 650 V 10.1 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK
- RS Stock No.:
- 194-5744
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FFSB0865B
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB34,676.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB37,104.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 800 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB43.346 | THB34,676.80 |
| 1600 - 2400 | THB42.404 | THB33,923.20 |
| 3200 + | THB41.462 | THB33,169.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 194-5744
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FFSB0865B
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10.1A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.4V | |
| Peak Reverse Current Ir | 160μA | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 577A | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.83 mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 9.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Diode | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10.1A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.4V | ||
Peak Reverse Current Ir 160μA | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 577A | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.83 mm | ||
Length 10.67mm | ||
Height 9.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, D2PAK-2L
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 8 A, 650 V, D2, D2PAK-2L
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
High UIS, Surge Current, and Avalanche
High Junction Temperature
Low Vf
No Qrr
49mJ @ 25C
Tj = 175C
1.41V
< 100nC
Applications
PFC
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi 650 V 10.1 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK FFSB0865B
- onsemi 650 V 10.1 A Schottky Diode Schottky 2-Pin D2PAK
- onsemi 650 V 10.1 A Schottky Diode Schottky 2-Pin D2PAK FFSB0865B-F085
- onsemi 650 V 27 A Schottky Diode Schottky 3-Pin D2PAK
- onsemi 650 V 73 A Schottky Diode Schottky 3-Pin D2PAK
- onsemi 650 V 8 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK
- onsemi 650 V 20 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK
- onsemi 650 V 73 A Schottky Diode Schottky 3-Pin D2PAK FFSB3065B-F085