STMicroelectronics 1200 V 10 A Diode Schottky 2-Pin DO-247 STPSC10H12WL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB187.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB201.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 135 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 7THB187.90
8 - 14THB183.20
15 +THB180.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
164-7021
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STPSC10H12WL
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Diode

Mount Type

Through Hole

Package Type

DO-247

Maximum Continuous Forward Current If

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

2

Maximum Forward Voltage Vf

2.25V

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

420A

Minimum Operating Temperature

-40°C

Peak Reverse Current Ir

400μA

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

5.31 mm

Length

16.26mm

Diameter

3.56 mm

Height

21.46mm

Automotive Standard

No

The SiC diode, available in TO-220AC, DPAK HV, D²PAK and DO-247 LL, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases

No or negligible reverse recovery

Switching behavior independent of temperature

Robust high voltage periphery

Operating from -40 °C to 175 °C

Low VF

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง