STMicroelectronics 650 V 8 A Diode Schottky 2-Pin TO-220 STPSC8065D

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดูหมวดหมู่นี้
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
164-6987
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STPSC8065D
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Mount Type

Through Hole

Product Type

Diode

Package Type

TO-220

Maximum Continuous Forward Current If

8A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Series

STPSC

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky

Pin Count

2

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

200A

Minimum Operating Temperature

-40°C

Peak Reverse Current Ir

750μA

Maximum Forward Voltage Vf

1.65V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Diameter

3.75 mm

Height

15.75mm

Width

4.6 mm

Length

10.4mm

Automotive Standard

No

The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases

No or negligible reverse recovery

Switching behavior independent of temperature

Dedicated to PFC applications

High forward surge capability

Operating Tj from -40 °C to 175 °C

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง