STMicroelectronics 1200V 10A, SiC Schottky Diode, 2 + Tab-Pin D2PAK STPSC10H12GY-TR

ดูหมวดหมู่นี้
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
163-7347
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STPSC10H12GY-TR
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

D2PAK

Maximum Continuous Forward Current

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage

1200V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky Diode

Diode Type

SiC Schottky

Pin Count

2 + Tab

Maximum Forward Voltage Drop

2.25V

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

SiC Schottky

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

71 A, 420 A

The SiC diode, available in TO-220AC and D²PAK, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases

No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Robust high voltage periphery
PPAP capable
Operating Temp. from -40 °C to 175 °C

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง