STMicroelectronics 1200 V 20 A Diode Schottky 8-Pin HU3PAK STPSC20G12L2Y
- RS Stock No.:
- 365-182
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC20G12L2Y
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 600 ชิ้น)*
THB210,418.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB225,147.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 600 + | THB350.697 | THB210,418.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 365-182
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC20G12L2Y
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 20A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1200V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Series | STPS | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 8 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 1100A | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Peak Reverse Current Ir | 500μA | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Diode | ||
Package Type HU3PAK | ||
Maximum Continuous Forward Current If 20A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1200V | ||
Diode Configuration Single | ||
Series STPS | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 8 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 1100A | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Peak Reverse Current Ir 500μA | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics SiC diode is a ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turnoff behavior is independent of temperature. Based on the latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions while bringing robustness to the design. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
None or negligible reverse recovery
Switching behaviour independent of temperature
Robust high voltage periphery
ECOPACK2 compliant component