BGAP2S20AE6327XTSA1 Infineon, RF Amplifier, 34.8 dB 2.7 GHz, 16-Pin PG-TSNP-16-12

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB284.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB303.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB284.02
10 - 99THB255.82
100 - 499THB235.53
500 - 999THB218.71
1000 +THB195.94

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
349-418
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BGAP2S20AE6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Typical 3dB Bandwidth

2300 → 2700MHz

Typical Power Gain

34.8 dB

Typical Output Power

28.9dBm

Typical Noise Figure

3.8dB

Number of Channels per Chip

1

Maximum Operating Frequency

2.7 GHz

Package Type

PG-TSNP-16-12

Pin Count

16

COO (Country of Origin):
MY
The Infineon 2.3 to 2.7 GHz low-band driver amplifier that can be used as pre-driver or driver in RF applications from massive MIMO 5G base stations to small cells and access points. The driver amplifier is typically placed between transceiver IC and power amplifier but can also be used as power amplifier for low power applications. The input and outputs are single-ended and internally matched to 50 Ω.

BiCMOS technology for an optimized performance
High gain and high power for fewer components in line up
Internal matching and saving external matching components
Easy design in and small area footprint

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง