ROHM High Side, Load Switch Power Switch IC 46-Pin, VQFN046V8080
- RS Stock No.:
- 687-350P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BM3G115MUV-LBE2
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB6,884.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB7,365.93
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 + | THB688.405 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-350P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BM3G115MUV-LBE2
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | Power Switch IC | |
| Power Switch Topology | High Side | |
| Power Switch Type | Load Switch | |
| Switch On Resistance RdsOn | 150mΩ | |
| Minimum Supply Voltage | 5.5V | |
| Package Type | VQFN046V8080 | |
| Maximum Supply Voltage | 650V | |
| Pin Count | 46 | |
| Operating Current | 12.2A | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 105°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type Power Switch IC | ||
Power Switch Topology High Side | ||
Power Switch Type Load Switch | ||
Switch On Resistance RdsOn 150mΩ | ||
Minimum Supply Voltage 5.5V | ||
Package Type VQFN046V8080 | ||
Maximum Supply Voltage 650V | ||
Pin Count 46 | ||
Operating Current 12.2A | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 105°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 650 V GaN HEMT Power Stage integrates a silicon driver within original package, significantly reducing parasitic inductance compared to traditional discrete solutions. It delivers a high switching slew rate of up to 150 V/ns, with adjustable gate drive strength to minimize EMI. Built-in protections and additional features help optimize cost and reduce PCB size. Designed for compatibility with major existing controllers, it serves as an efficient replacement for traditional discrete power switches such as super junction MOSFETs.
Wide operating range for VDD pin voltage
Wide operating range for IN pin voltage
Low VDD quiescent and operating current
Low propagation delay
Adjustable gate drive strength
Power good signal output
VDD UVLO protection
Thermal shutdown protection