DiodesZetex Isolated 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC3016LSD-13
- RS Stock No.:
- 921-1010
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMC3016LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB273.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB292.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 40 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 3,860 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 620 | THB13.68 | THB273.60 |
| 640 - 1240 | THB13.338 | THB266.76 |
| 1260 + | THB13.133 | THB262.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 921-1010
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMC3016LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 4.95mm | |
| Width | 3.95 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.3nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Height 1.5mm | ||
Length 4.95mm | ||
Width 3.95 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 10.5 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 7.6 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 7.6 A 8-Pin SOIC DMC3028LSDX-13
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 8.5 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 8.5 A 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13
- DiodesZetex Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 9.6 A 3-Pin TO-252
