Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 41 A, 150 V, 3-Pin TO-220FP IRFIB41N15DPBF
- RS Stock No.:
- 907-5022P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFIB41N15DPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 25 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB1,385.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,482.325
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 25 - 120 | THB55.414 |
| 125 - 245 | THB46.968 |
| 250 - 620 | THB43.672 |
| 625 + | THB41.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 907-5022P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFIB41N15DPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 41 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V | |
| Package Type | TO-220FP | |
| Series | HEXFET | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation | 48 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Length | 10.54mm | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Width | 4.69mm | |
| Forward Diode Voltage | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Height | 8.77mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 41 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 150 V | ||
Package Type TO-220FP | ||
Series HEXFET | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 40 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation 48 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
Length 10.54mm | ||
Transistor Material Si | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 72 nC @ 10 V | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Width 4.69mm | ||
Forward Diode Voltage 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Height 8.77mm | ||