Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET, 17 A, 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R199CPXKSA1
- RS Stock No.:
- 897-7453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA50R199CPXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 12 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB38.10
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB508.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB543.57
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 4 - 8 | THB127.003 | THB508.01 | - |
| 12 - 20 | THB123.828 | THB495.31 | THB38.10 |
| 24 + | THB121.925 | THB487.70 | THB121.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 897-7453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA50R199CPXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 550V | |
| Series | CoolMOS CP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 199mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 139W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 16.15mm | |
| Width | 4.85mm | |
| Length | 10.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 550V | ||
Series CoolMOS CP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 199mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 139W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 16.15mm | ||
Width 4.85mm | ||
Length 10.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS CP Series MOSFET, 17A Maximum Continuous Drain Current, 139W Maximum Power Dissipation - IPA50R199CPXKSA1
Features & Benefits
Applications
What are the thermal limits for usage?
How does the gate threshold voltage impact performance?
What packaging options are available for this component?
Is the component suitable for high-frequency applications?
How do I ensure proper installation?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R199CPXKSA1
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R140CPXKSA1
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R199CPXKSA1
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R125CPFKSA1
- Infineon CoolMOS CP N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R165CPFKSA1
