Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET, 17 A, 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R199CPXKSA1
- RS Stock No.:
- 897-7453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA50R199CPXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB258.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB276.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 8 | THB64.565 | THB258.26 |
| 12 - 20 | THB62.953 | THB251.81 |
| 24 + | THB61.985 | THB247.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 897-7453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA50R199CPXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 550V | |
| Series | CoolMOS CP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 199mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 139W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 16.15mm | |
| Width | 4.85 mm | |
| Length | 10.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 550V | ||
Series CoolMOS CP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 199mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 139W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 16.15mm | ||
Width 4.85 mm | ||
Length 10.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS CP Series MOSFET, 17A Maximum Continuous Drain Current, 139W Maximum Power Dissipation - IPA50R199CPXKSA1
This MOSFET is a high-performance component suitable for various applications in the automation, electronics, and electrical sectors. It addresses the need for efficient power management and control, thereby enhancing overall system performance. With features such as high continuous drain current capacity and substantial voltage handling, it is an important choice for Advanced electronic designs.
Features & Benefits
• Maximum continuous drain current of 17A for robust power delivery
• Maximum drain-source voltage of 550V for diverse applications
• Low Rds(on) at 199mΩ for enhanced efficiency
• Enhancement mode design for improved switching characteristics
• TO-220 FP package for straightforward installation
• High power dissipation of 139W suitable for challenging environments
Applications
• High power converters to improve energy efficiency
• Motor control that require high current
• Industrial automation systems for increased reliability
• Switch-mode power supplies that need efficient components
What are the thermal limits for usage?
The product operates between -55°C and +150°C, providing versatility for various environments.
How does the gate threshold voltage impact performance?
The gate threshold voltage varies from 2.5V to 3.5V, optimising switching performance according to circuit conditions.
What packaging options are available for this component?
It comes in a TO-220 FP package, facilitating through-hole mounting for easy integration into circuits.
Is the component suitable for high-frequency applications?
Yes, it typically operates with a gate charge of 34nC at 10V, allowing it to function efficiently in high-frequency applications.
How do I ensure proper installation?
Refer to the datasheet recommendations for mounting and connections to achieve optimal performance and safety during use.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA50R140CPXKSA1
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R199CPXKSA1
