DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

RS Stock No.:: 827-0462
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMN2014LHAB-7
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB801.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB857.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 700	THB16.022	THB801.10
750 - 1450	THB15.622	THB781.10
1500 +	THB15.382	THB769.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-0462
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMN2014LHAB-7
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	DiodesZetex
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	UDFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	28mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.5nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Length	3.05mm
	Height	0.6mm
	Width	2.05 mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand DiodesZetex
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type UDFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Length 3.05mm
	Height 0.6mm
	Width 2.05 mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.3 A, 20 V Enhancement, 7-Pin UDFN DMN2014LHAB-7

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง