ROHM P-Channel MOSFET, 2.5 A, 12 V, 3-Pin TSMT RZR025P01TL
- RS Stock No.:
- 826-7835P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RZR025P01TL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 60 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB718.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB768.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 60 - 120 | THB11.971 |
| 150 - 270 | THB11.512 |
| 300 - 570 | THB11.101 |
| 600 + | THB10.738 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 826-7835P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RZR025P01TL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V | |
| Package Type | TSMT | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 220 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Maximum Power Dissipation | 1 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Width | 1.6mm | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
| Length | 2.9mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Height | 0.85mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current 2.5 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 12 V | ||
Package Type TSMT | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 220 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 1V | ||
Maximum Power Dissipation 1 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -10 V, +10 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Width 1.6mm | ||
Transistor Material Si | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 13 nC @ 4.5 V | ||
Length 2.9mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Height 0.85mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
