ROHM N-Channel MOSFET, 9 A, 500 V, 3-Pin TO-220FM R5009ANX
- RS Stock No.:
- 826-7529P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R5009ANX
- ผู้ผลิต:
- ROHM
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 40 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,777.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,902.16
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 40 - 76 | THB44.443 |
| 80 - 196 | THB43.283 |
| 200 - 996 | THB42.188 |
| 1000 + | THB41.093 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 826-7529P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R5009ANX
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
| Package Type | TO-220FM | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 720 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V | |
| Maximum Power Dissipation | 50 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Width | 4.8mm | |
| Transistor Material | Si | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Length | 10.3mm | |
| Height | 15.4mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 9 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 500 V | ||
Package Type TO-220FM | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 720 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V | ||
Maximum Power Dissipation 50 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 21 nC @ 10 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Width 4.8mm | ||
Transistor Material Si | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Length 10.3mm | ||
Height 15.4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
