onsemi NVF6P02 Type P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 NVF6P02T3G
- RS Stock No.:
- 805-1996
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVF6P02T3G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB389.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB417.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- 3,160 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 990 | THB38.97 | THB389.70 |
| 1000 - 1990 | THB37.995 | THB379.95 |
| 2000 + | THB37.411 | THB374.11 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 805-1996
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVF6P02T3G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | NVF6P02 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 8.3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8V, +8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.7mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.65mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series NVF6P02 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 8.3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.7mm | ||
Length 6.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.65mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVF6P02 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 NVF6P02T3G
- onsemi NTF6P02 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NTF6P02T3G
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD4685
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP20EP10LMXTSA1
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06NMXTSA1
- Infineon ISP Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 ISP16DP10LMXTSA1