Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN1R7-30YL,115
- RS Stock No.:
- 798-2912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R7-30YL,115
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB376.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB402.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 455 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 370 | THB75.26 | THB376.30 |
| 375 - 745 | THB73.376 | THB366.88 |
| 750 + | THB72.248 | THB361.24 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 798-2912
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PSMN1R7-30YL,115
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 109W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 77.9nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 109W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 77.9nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin SOT-669