onsemi ECH8310 Type P-Channel MOSFET, 9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin ECH ECH8310-TL-H
- RS Stock No.:
- 791-9421
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ECH8310-TL-H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB247.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB264.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,350 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB24.70 | THB247.00 |
| 750 - 1490 | THB24.084 | THB240.84 |
| 1500 + | THB23.713 | THB237.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 791-9421
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ECH8310-TL-H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | ECH | |
| Series | ECH8310 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.3 mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type ECH | ||
Series ECH8310 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.3 mm | ||
Length 2.9mm | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi ECH8310 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin ECH
- onsemi Isolated 2 Type P 7 A 8-Pin ECH
- onsemi Isolated 2 Type P 7 A 8-Pin ECH ECH8661-TL-H
- Sanyo Dual N-Channel MOSFET Transistor 20 V, 8-Pin ECH ECH8621R-TL-E
- ROHM RRS050 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP
- ROHM RRS050 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP RRS090P03HZGTB
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8
