STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin H2PAK
- RS Stock No.:
- 786-3704P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STH310N10F7-6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 250 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB52,662.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB56,350.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 904 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 250 - 498 | THB210.65 |
| 500 + | THB207.405 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 786-3704P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STH310N10F7-6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | STripFET H7 | |
| Package Type | H2PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 315W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.8mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Length | 15.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series STripFET H7 | ||
Package Type H2PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 315W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.8mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Length 15.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.