Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 75 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF2805PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB42.92

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB45.92

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 99 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 742 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 12THB42.92
13 - 24THB41.83
25 +THB41.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
784-0274
Distrelec หมายเลขบทความ:
303-41-270
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF2805PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

75A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.67mm

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Height

16.51mm

Distrelec Product Id

30341270

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 75A Maximum Continuous Drain Current, 330W Maximum Power Dissipation - IRF2805PBF


This power MOSFET delivers excellent performance for various electronic applications. Its robust specifications are designed for industrial environments, ensuring both reliability and efficiency. With low on-resistance, this component supports high current capability, making it suitable for advanced circuits.

Features & Benefits


• Supports a maximum continuous drain current of 75A

• Enhances efficiency with a low RDS(on) of 4.7mΩ

• Compatible with +20 V/-20 V gate-source voltage for improved flexibility

• Capable of fast switching speeds to meet dynamic performance needs

• Supports repetitive avalanche handling for operational resilience

Applications


• Used in industrial motor drives for effective power control

• Suitable for power management in automation systems

• Employed in renewable energy systems for efficient switching

• Utilised in high-performance and durable power tools

• Applicable in battery management systems for electric vehicles

What is the maximum temperature this component can withstand?


It can operate within a temperature range of -55°C to +175°C for performance in extreme conditions.

How does this MOSFET handle high current applications?


It is designed to manage a continuous drain current of 75A, making it suitable for high current demands.

Can it be used in applications with fast switching requirements?


Yes, this MOSFET supports fast switching speeds, ideal for applications requiring dynamic performance.

Is this device suitable for use in power inverters?


Yes, its thermal stability and capacity for high current handling make it appropriate for power inverter applications in renewable energy systems.

What are the implications of its low on-resistance?


The low RDS(on) reduces power losses during operation, contributing to improved efficiency and thermal performance.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง