onsemi NTK Type P-Channel MOSFET, 6.7 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET NTHS4101PT1G
- RS Stock No.:
- 780-0595
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHS4101PT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB254.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB272.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,950 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB25.43 | THB254.30 |
| 750 - 1490 | THB24.794 | THB247.94 |
| 1500 + | THB24.413 | THB244.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-0595
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHS4101PT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | ChipFET | |
| Series | NTK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 1.7 mm | |
| Length | 3.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type ChipFET | ||
Series NTK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Width 1.7 mm | ||
Length 3.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTK Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET
- onsemi NTK Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-723
- onsemi NTK Type P-Channel MOSFET 30 V P, 8-Pin SO-8
- onsemi NTK Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-723 NTK3139PT1G
- onsemi NTK Type P-Channel MOSFET 30 V P, 8-Pin SO-8 NTMFS002P03P8ZT1G
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET
- onsemi Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET NTHD4102PT1G
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET
