Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4227PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB124.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB133.11

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 32 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 955 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 6THB124.40
7 - 12THB121.31
13 +THB119.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
650-4772
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFP4227PBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-247

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.3 mm

Height

20.3mm

Length

15.9mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 65A Maximum Continuous Drain Current, 330W Maximum Power Dissipation - IRFP4227PBF


This MOSFET functions as a vital component in contemporary electronic applications, offering dependable control and switching for high-power systems. It delivers robust performance and efficiency, making it suitable for a variety of industrial tasks, particularly in settings where high thermal resistance and low conduction losses are essential. The enhancement mode design facilitates optimal operation under diverse conditions, thereby making it ideal for automation, electrical systems, and mechanical applications.

Features & Benefits


• Provides 65A continuous drain current for intensive applications

• Operates efficiently at a maximum drain-source voltage of 200V

• Low RDS(on) contributes to energy efficiency during use

• Rated for high temperature tolerance up to 175°C

• Optimised for fast switching with minimal fall and rise times

• Offers excellent repetitive avalanche capability for enhanced system reliability

Applications


• Utilised in energy recovery systems to enhance efficiency

• Compatible with PDP sustain for effective performance

• Suitable for high-power motor drive circuits requiring accurate control

• Employed in switching power supplies within automation processes

• Used in professional audio amplifiers for effective output handling

What is the maximum current that can be handled at elevated temperatures?


It can manage a continuous drain current of 46A at 100°C, ensuring functionality in tough environments.

How does this component perform under pulsed conditions?


The pulsed drain current can reach up to 130A, making it appropriate for transient applications.

What are the cooling requirements when using this device?


It has a thermal resistance of 0.45°C/W from junction to case, requiring effective heat dissipation mechanisms for optimal operation.

What type of mounting is required for installation?


Installation necessitates through-hole mounting, suitable for robust applications needing solid connections.

How does the gate charge impact switching speed?


It features a typical total gate charge of 70nC, enabling quick and efficient switching, which is crucial in high-speed applications.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง