STMicroelectronics STP80N Type N-Channel MOSFET, 5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N1K1K6
- RS Stock No.:
- 287-7046
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N1K1K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,484.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,658.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB49.695 | THB2,484.75 |
| 100 - 100 | THB44.724 | THB2,236.20 |
| 150 + | THB40.249 | THB2,012.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 287-7046
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N1K1K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | STP80N | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series STP80N | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Worldwide best FOM
Ultra low gate charge
100 percent avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STP80N Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N1K1K6
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220