STMicroelectronics STP80N N-Channel MOSFET, 5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N1K1K6
- RS Stock No.:
- 287-7046
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N1K1K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,484.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,658.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB49.695 | THB2,484.75 |
| 100 - 100 | THB44.724 | THB2,236.20 |
| 150 + | THB40.249 | THB2,012.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 287-7046
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N1K1K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STP80N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STP80N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Worldwide best FOM
Ultra low gate charge
100 percent avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STP80N N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N1K1K6
- STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP18NM80
- STMicroelectronics STF N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220FP STF80N1K1K6
- STMicroelectronics MDmesh 3 A 3-Pin TO-220 STP4NK80ZFP
- STMicroelectronics MDmesh 3 A 3-Pin TO-220 STP4NK80Z
- STMicroelectronics STP N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N900K6
- STMicroelectronics MDmesh 9 A 3-Pin TO-220