STMicroelectronics N-Channel, 25 A, 750 V Enhancement, 4-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV SGT65R65AL
- RS Stock No.:
- 275-1318P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SGT65R65AL
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 275-1318P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SGT65R65AL
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current (Id) | 25 A | |
| Maximum Drain Source Voltage (Vds) | 750 V | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Pin Count | 4 | |
| Package Type | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Mount Type | Surface | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current (Id) 25 A | ||
Maximum Drain Source Voltage (Vds) 750 V | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Pin Count 4 | ||
Package Type PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Mount Type Surface | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge