STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 12 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N340K6
- RS Stock No.:
- 269-5164P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N340K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 10 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,772.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,966.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 10 - 18 | THB277.20 |
| 20 - 28 | THB263.12 |
| 30 - 38 | THB250.045 |
| 40 + | THB237.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 269-5164P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STP80N340K6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STP | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 340mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 115W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 28.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STP | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 340mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 115W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 28.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is a very high voltage is designed using the ultimate MDmesh K6 technology result in the best class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ultra low gate charge
100 percent avalanche tested