ROHM RX3L18BBG Type N-Channel MOSFET, 240 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RX3L18BBGC16
- RS Stock No.:
- 266-3866
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RX3L18BBGC16
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB218.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB234.11
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB218.79 |
| 50 - 99 | THB197.54 |
| 100 - 249 | THB163.75 |
| 250 - 499 | THB160.62 |
| 500 + | THB142.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 266-3866
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RX3L18BBGC16
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 240A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | RX3L18BBG | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.84mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 192W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 240A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series RX3L18BBG | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.84mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 192W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin TO-220AB RX3L18BBGC16
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRFS7534TRL7PP
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRFS7530TRL7PP
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT240N08S5N019ATMA1
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R5-40YSDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN1R0-25YLDX
- Nexperia PSM Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin LFPAK PSMN2R3-80SSFJ
