ROHM R6007END3 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6007END3TL1
- RS Stock No.:
- 264-3778
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6007END3TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB270.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB289.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,445 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB54.086 | THB270.43 |
| 50 - 95 | THB47.276 | THB236.38 |
| 100 - 245 | THB37.228 | THB186.14 |
| 250 - 995 | THB36.46 | THB182.30 |
| 1000 + | THB26.08 | THB130.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-3778
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- R6007END3TL1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | R6007END3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.62Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series R6007END3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.62Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ROHM low-noise power MOSFET is suitable for switching power supply, it is low on-resistance, low radiation noise and Pb-free plating and RoHS compliant.
Fast switching
Parallel use is easy
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM R6007END3 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6010YNXC7G
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP9NK60Z
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP9NK60ZFP
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R210CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220