Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 201 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP011N04NF2SAKMA1
- RS Stock No.:
- 260-1054
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP011N04NF2SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB108.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB116.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 983 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB108.88 |
| 10 - 99 | THB97.84 |
| 100 - 249 | THB88.29 |
| 250 - 499 | THB79.35 |
| 500 + | THB71.29 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-1054
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP011N04NF2SAKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 201A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.15mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Forward Voltage Vf | 0.84V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 201A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.15mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Forward Voltage Vf 0.84V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET provides an addressing a broad range of applications from low to high switching frequency having a broad availability from distribution partners to excellent price and performance ratio.
Ideal for high and low switching frequency
Industry standard footprint through hole package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB011N04NF2SATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP015N04NF2SAKMA1