Infineon IPF Type N-Channel MOSFET, 282 A, 80 V N TO-263
- RS Stock No.:
- 259-2613
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPF014N08NF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB68,774.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB73,588.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB85.968 | THB68,774.40 |
| 1600 - 1600 | THB83.389 | THB66,711.20 |
| 2400 + | THB80.053 | THB64,042.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-2613
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPF014N08NF2SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 282A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | IPF | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 282A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series IPF | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFETs are optimized for a broad range of applications like SMPS, motor drive, battery powered, battery management, UPS, and light electric vehicles. This new technology offers up to 40 percent RDS(on) improvement and up to 60 percent lower Qg compared to the previous StrongIRFET devices, translating into higher power efficiency for improved overall system performance. Increased current ratings allow for higher current carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices translating to lower BOM costs and board savings.
Broad availability from distribution partners
Excellent price/performance ratio
Ideal for high and low switching frequencies
Industry standard footprint through-hole package
High current rating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPF Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-263 IPF014N08NF2SATMA1
- Infineon IPF Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon IPF Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPF012N06NF2SATMA1
- Infineon IPF Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-263
- Infineon IPF Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-263
- Infineon IPF Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-263
- Infineon IPF Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-263 IPF023N08NF2SATMA1
- Infineon IPF Type N-Channel MOSFET 80 V N TO-263 IPF017N08NF2SATMA1