Infineon IQE Type N-Channel MOSFET, 205 A, 40 V TTFN IQE013N04LM6CGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB134.62

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB144.04

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB67.31THB134.62
10 - 98THB65.29THB130.58
100 - 248THB62.68THB125.36
250 - 498THB59.545THB119.09
500 +THB55.97THB111.94

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
258-3923
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IQE013N04LM6CGATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

205A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IQE

Package Type

TTFN

Mount Type

Surface

Forward Voltage Vf

1V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFET 40V in a 3.3x3.3 PQFN Source-Down Centre-Gate package. This best-in-class power MOSFET challenges the status quo in power density and form factor in the end application. One target in power tool design is to minimize the internal restrictions of PCB area requirements, enabling an ergonomic design and optimizing the end user experience. Moving the inverter from the handle into the head simultaneously minimizes the volume of the power tool motor housing while keeping the torque of the tool at a reasonably high level for quick and easy action.

High current capability

More efficient use of PBC area

Highest power density and performance

Optimized footprint for MOSFET parallelization with centre-gate

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง