Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 61 A N HDSOP
- RS Stock No.:
- 258-3872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDD60R045CFD7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1700 ชิ้น)*
THB317,629.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB339,864.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 07 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1700 - 1700 | THB186.841 | THB317,629.70 |
| 3400 - 3400 | THB168.157 | THB285,866.90 |
| 5100 + | THB151.341 | THB257,279.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPDD60R045CFD7XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 61A | |
| Package Type | HDSOP | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 210mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 61A | ||
Package Type HDSOP | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS 7 series. CoolMOS CFD7 comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time in the market.
Ultra-fast body diode
Best-in-class reverse recovery charge
Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
Best-in-class hard commutation ruggedness
Highest reliability for resonant topologies
Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
Enabling increased power density solutions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 61 A N HDSOP IPDD60R045CFD7XTMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 4.4 A N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 2.6 A N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 4.4 A N TO-252 IPD60R950C6ATMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 2.6 A N TO-252 IPD50R3K0CEAUMA1
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 650 V N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252
