Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 100 A, 120 V Enhancement TO-263 IPB100N12S305ATMA1

Image representative of range

Bulk discount available

Subtotal (1 unit)*

THB115.89

(exc. VAT)

THB124.00

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 830 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
Units
Per unit
1 - 9THB115.89
10 - 99THB112.41
100 - 249THB107.91
250 - 499THB102.51
500 +THB96.36

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
258-3796
Mfr. Part No.:
IPB100N12S305ATMA1
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-T power-transistor is N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

Related links