Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 166 A, 100 V N, 7-Pin TO-263 IPB032N10N5ATMA1
- RS Stock No.:
- 258-3791
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB032N10N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB154.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB165.11
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB154.31 |
| 10 - 99 | THB131.09 |
| 100 - 249 | THB107.05 |
| 250 - 499 | THB91.21 |
| 500 + | THB83.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3791
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB032N10N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 166A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 187W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 166A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 187W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 100V power MOSFET is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hot swap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
Reduced switching and conduction losses
Less paralleling required
Increased power density
Low voltage overshoot
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 150 V N, 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V N, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V N, 3-Pin TO-263 IPB024N08N5ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 150 V N, 7-Pin TO-263 IPB060N15N5ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin TO-263 IPB017N10N5ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V P, 7-Pin TO-263