Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB020N10N5LFATMA1
- RS Stock No.:
- 258-3786
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB020N10N5LFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB250.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB268.17
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,525 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB250.63 |
| 10 - 99 | THB226.66 |
| 100 - 249 | THB187.59 |
| 250 - 499 | THB163.33 |
| 500 + | THB153.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3786
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB020N10N5LFATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 195nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 313W | |
| Forward Voltage Vf | 0.89V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 195nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 313W | ||
Forward Voltage Vf 0.89V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance and linear mode capability operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.
High max. pulse current
High continuous pulse current
Rugged linear mode operation
Low conduction losses
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB048N15N5LFATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB048N15N5ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB110N20N3LFATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB60R045P7ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB60R070CFD7ATMA1
- Infineon iPB Type N-Channel MOSFET 80 V N, 3-Pin TO-263