Infineon IPA Type N-Channel MOSFET, 66 A, 650 V N TO-220
- RS Stock No.:
- 258-3779
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPAN60R125PFD7SXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,739.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,931.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB54.787 | THB2,739.35 |
| 100 - 100 | THB49.312 | THB2,465.60 |
| 150 + | THB44.381 | THB2,219.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-3779
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPAN60R125PFD7SXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 66A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | IPA | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 66A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series IPA | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications. The MOSFET in a TO-220 FullPAK narrow-lead package features RDS(on) of 125mOhm leading to low switching losses. The products come with a fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced bill-of-material for the customer. This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low-power motor drives. The 600V CoolMOS PFD7 offers improved light- and full-load efficiency over CoolMOS P7 and CE MOSFET technologies resulting in an increase in power density by 1.8W/inch3.
Wide range of RDS(on) values
Excellent commutation ruggedness
Low EMI
Broad package portfolio
BOM cost reduction and easy manufacturing
Robustness and reliability
Easy to select the right parts for design fine-tuning
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-220 IPAN60R125PFD7SXKSA1
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 650 V N TO-220 IPAN60R360PFD7SXKSA1
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 60 V N TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 100 V N TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 600 V N TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 60 V N TO-220
- Infineon IPA Type N-Channel MOSFET 600 V N TO-220