Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 104 A, 60 V N, 8-Pin TSDSON
- RS Stock No.:
- 258-0711
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB112,860.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB120,760.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB22.572 | THB112,860.00 |
| 10000 - 10000 | THB20.315 | THB101,575.00 |
| 15000 + | THB18.283 | THB91,415.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-0711
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 104A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | BSZ | |
| Package Type | TSDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.3mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 104A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series BSZ | ||
Package Type TSDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.3mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 60V power MOSFET comprises a perfect fit for optimized efficiency and power density solutions such as synchronous rectification in switched mode power supplies, for telecom bricks and server applications, as well as portable chargers. The small footprint of only 3.3x3.3mm2 combined with outstanding electrical performance further contributes towards best-in-class power density and form factor improvement in the end application.
Monolithically integrated Schottky-like diode
Ultra low charges
Ideal for high performance applications
RoHS compliant - halogen free
Less paralleling required
Very low voltage overshoot
Reduced need for snubber circuit
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin TSDSON BSZ037N06LS5ATMA1
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 30 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 250 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 25 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 25 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 25 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET 200 V N, 8-Pin TSDSON