Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V TO-263 IRFS7530TRLPBF
- RS Stock No.:
- 257-9438
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7530TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB238.02
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB254.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 580 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB119.01 | THB238.02 |
| 10 - 48 | THB105.95 | THB211.90 |
| 50 - 98 | THB103.80 | THB207.60 |
| 100 - 248 | THB87.515 | THB175.03 |
| 250 + | THB87.16 | THB174.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9438
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFS7530TRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 274nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 274nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS7530TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-220 IRFB7534PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4115TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS3306TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS3206TRRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS7540TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS3006TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL7437PBF