Vishay Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 100 V PowerPAK SISS42LDN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB135.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB144.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 5,970 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB27.056THB135.28
50 - 95THB26.244THB131.22
100 - 245THB25.194THB125.97
250 - 995THB23.936THB119.68
1000 +THB22.50THB112.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
256-7435
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS42LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0149Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor N-channel 100 V (D-S) mosfet very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) applications synchronous rectification, primary side switch, DC, DC converter, solar micro inverter, motor drive switch, battery and load switch, industrial.

TrenchFET gen IV power mosfet

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง