ROHM RS6L120BG Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement HSOP-8 RS6L120BGTB1
- RS Stock No.:
- 255-7717
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RS6L120BGTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB186.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB199.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 56 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 06 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB93.15 | THB186.30 |
| 50 - 98 | THB90.36 | THB180.72 |
| 100 - 248 | THB86.745 | THB173.49 |
| 250 - 998 | THB81.54 | THB163.08 |
| 1000 + | THB75.835 | THB151.67 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 255-7717
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RS6L120BGTB1
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Series | RS6L120BG | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Series RS6L120BG | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM N channel 60V 150A power MOSFET is Pb-free plating , RoHS compliant device.
Low on - resistance
High power package (HSOP8)
Halogen free
100% Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM RS6L120BG Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement HSOP-8
- ROHM Nch+Nch HP8 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSOP-8 HP8KB6TB1
- ROHM RS1P600BH Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8
- ROHM RS1P600BH Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS1P600BHTB1
- ROHM RS6R060BH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement HSOP-8S
- ROHM RS6R060BH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement HSOP-8S RS6R060BHTB1
- ROHM RS6P100BH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8S RS6P100BHTB1
- ROHM Dual HP 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin HSOP HP8K24TB
