DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 26 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Stock No.:
- 254-8652
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH10H032LFVWQ-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB37,566.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB40,197.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB12.522 | THB37,566.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-8652
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH10H032LFVWQ-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerDI3333-8 | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.3 mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerDI3333-8 | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.3 mm | ||
Length 3.3mm | ||
Height 0.8mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodeZetex enhancement mode MOSFET has been designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP, and is ideal for use in backlighting, dc to dc converters and power management functi
Low on resistance
Wet table flank for improved optical inspection
Low switching losses
Halogen and antimony free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8 DMTH10H032LFVWQ-13
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8 DMTH10H032LFVWQ-7
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8 DMTH43M8LFGQ-13
