DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement PowerDI5060-8 DMPH33M8SPSW-13
- RS Stock No.:
- 254-8640
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMPH33M8SPSW-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB459.04
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB491.175
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,495 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB91.808 | THB459.04 |
| 50 - 95 | THB86.896 | THB434.48 |
| 100 - 245 | THB80.344 | THB401.72 |
| 250 - 995 | THB78.706 | THB393.53 |
| 1000 + | THB53.528 | THB267.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-8640
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMPH33M8SPSW-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | PowerDI5060-8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type PowerDI5060-8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodeZetex P channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is applicable in general purpose inte
Low on resistance
High conversion energy
Halogen and antimony Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement PowerDI5060-8 DMP3011SPSW-13
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8 DMP3021SPSW-13
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8 DMPH33M8SPSWQ-13
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8 DMP27M1UPSW-13
- DiodesZetex Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8
