Texas Instruments Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement TO-263 CSD19532KTT
- RS Stock No.:
- 252-8488
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- CSD19532KTT
- ผู้ผลิต:
- Texas Instruments
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB465.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB497.935
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 890 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB93.072 | THB465.36 |
| 25 - 45 | THB78.80 | THB394.00 |
| 50 - 95 | THB77.254 | THB386.27 |
| 100 - 245 | THB67.172 | THB335.86 |
| 250 + | THB65.85 | THB329.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-8488
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- CSD19532KTT
- ผู้ผลิต:
- Texas Instruments
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.9W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.9W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-263
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement TO-263 CSD19532KTTT
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 CSD18536KTTT
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement DSBGA
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement PICOSTAR
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement PICOSTAR
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement PICOSTAR
