Texas Instruments Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement VSON-CLIP CSD17308Q3T
- RS Stock No.:
- 252-8477
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- CSD17308Q3T
- ผู้ผลิต:
- Texas Instruments
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB289.43
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB309.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 250 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 250 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB28.943 | THB289.43 |
| 50 - 90 | THB28.372 | THB283.72 |
| 100 - 140 | THB22.562 | THB225.62 |
| 150 + | THB22.099 | THB220.99 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-8477
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- CSD17308Q3T
- ผู้ผลิต:
- Texas Instruments
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | VSON-CLIP | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 12.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.9W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type VSON-CLIP | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 12.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.9W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement VSON-CLIP
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement DSBGA
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement VSONP
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement DSBGA CSD13306WT
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement VSONP CSD17578Q3AT
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin VSON CSD18502Q5B
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement PICOSTAR
- Texas Instruments Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement PICOSTAR
